| dc.description.abstract | Van der Pauw, Hall and longitudinal magnetoresistance measurements were
performed on AlGaN/AlN/GaN, AlInN/AlN/GaN and AlInN/GaN/AlN/GaN
heterostructures at 1.9–300 K temperature range. The Hall carrier concentration,
Hall mobility, Two Dimensional Electron Gas (2DEG) concentration and quantum
mobility were determined from the measurements.
The results indicate that the layer structure plays important role on the
magnetotransport properties of the heterostructures. Hence, for time being,
because of only few work of magnetotransport study existed in the literature for an
AlInN/GaN/AlN/GaN heterostructure has also motivated this study in terms of layer
structure. As a qualitative explanation, the difference of the polarization fields of
the samples has been regarded as the cause of the results. | tr_TR |
| dc.description.ozet | Bu tez çalışmasında, AlGaN/AlN/GaN, AlInN/AlN/GaN ve AlInN/GaN/AlN/GaN
heteroeklem yapılarda, 1,9–300 K sıcaklık aralığında, van der Pauw, 4 nokta Hall
ölçümleri ve boyuna magnetodirenç ölçümleri gerçekleştirilmiştir.
Ölçümler sonucunda, incelenen heteroeklem yapıların Hall taşıyıcı yoğunluğu, Hall
mobilitesi, İki Boyutlu Elektron Gazı (2BEG) yoğunluğu ve kuantum mobilitesi
bulunmuştur. Deneysel sonuçlar, örneklerin tabaka yapısının, magnetotransport
özellikler üzerinde etkili olduğunu ortaya koymuştur. Bununla birlikte,
AlInN/GaN/AlN/GaN yapısında bir örneğin magnetotransport özelliğine ilişkin
literatürde çok az çalışma bulunması, sonuçların, örneklerin tabaka yapısı
bakımından ele alınmasında etken olmuştur. Bu çerçevede, sonuçların ilk
irdelemesinde, örneklerin magnetotransport özellikleri arasındaki farklılığın,
örneklerin tabaka yapısına bağlı olarak değişen elektriksel kutuplanmadan
kaynaklandığı ortaya konulmuştur. | tr_TR |
