| dc.contributor.advisor | Özdaş, Engin | tr_TR |
| dc.contributor.author | Babayiğit, Meltem | tr_TR |
| dc.date.accessioned | 2015-10-15T08:48:07Z | |
| dc.date.available | 2015-10-15T08:48:07Z | |
| dc.date.issued | 2013 | tr_TR |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11655/2731 | |
| dc.description.abstract | In the first stage of this study, the operational parameters of the transfer process optimized for transferring the graphene films which were grown on copper foils to the insulator Si SiO2 substrate. The most effective parameter on graphene film s mobility is not to degrade of graphene films while transfer process. Because of this reason, an ideal transfer process must be improved not only for providing the cleanliness (i.e., with no contamination) but also the continuity (i.e., without folds, cracks, or holes) of the films on the Si SiO2 substrate.After optimizing the transfer process of graphene films, in order to understand the influence of the synthesis conditions on the mobility, various samples were prepared different synthesis conditions. In this study, CH4 flow and exposure time were systematically changed for 5 x 5 mm2 graphene film samples to get the sample with a highest mobility. The measured highest mobility is 1275 (cm 2)⁄(V.s). | tr_TR |
| dc.language.iso | tur | tr_TR |
| dc.publisher | Fen Bilimleri Enstitüsü | tr_TR |
| dc.subject | Graphene | tr_TR |
| dc.title | Polikristalin Bakır Folyo Üzerinde Büyütülmüş Grafenin Elektriksel Karakterizasyonu | tr_TR |
| dc.type | info:eu-repo/semantics/masterThesis | tr_TR |
| dc.callno | 2013/560 | tr_TR |
| dc.contributor.departmentold | Fizik Mühendisliği | tr_TR |
| dc.description.ozet | Bu çalışmanın ilk aşamasında, bakır folyo üzerinde büyütülen grafen filmleri yalıtkan Si SiO2 alttaşlar üzerine transfer etmek için transfer sürecinin operasyonel parametreleri optimize edilmiştir. Transfer süreci boyunca grafen filmlerin zarar görmemesi, filmlerin mobiliteleri üzerinde en etkili olan parametredir. Bu sebeple, sadece filmin temiz(kontaminasyonların olmadığı) kalmasını değil, aynı zamanda filmin Si SiO2 alttaş üzerinde sürekliliğinin (katlanmalar, çatlaklar ve boşluklardan yoksun) de sağlanması için ideal bir transfer süreci geliştirilmelidir.Grafen filmlerin transfer süreci optimize edildikten sonra, sentez koşullarının mobilite üzerindeki etkisini anlamak için, farklı sentez koşullarında farklı örnekler hazırlanmıştır. Bu çalışmada, mobilitesi en büyük olan örneği bulmak için, CH4 akış hızı ve büyütülen filmin CH4 akışına maruz kalma süresi sistematik olarak 5 x 5 mm2 lik grafen filmler için değiştirilmiştir. Ölçülen en büyük mobilite değeri 1275 (cm 2)⁄(V.s) dir. | tr_TR |
