dc.contributor.advisor | Bacıoğlu, Akın | |
dc.contributor.author | Menevşe, Adnan Müslim | |
dc.date.accessioned | 2021-10-13T08:07:22Z | |
dc.date.issued | 2021-07 | |
dc.date.submitted | 2021-07-12 | |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11655/25538 | |
dc.description.abstract | Samples in structures of glass / Al / a-Si:H and glass / Au / a-Si:H were produced. The deposition of 100 nm a-Si:H layer was done in a PECVD system on glass substrates coated with 65 nm aluminum and 20 nm gold. Metal coatings on glass substrates were done in a thermal evaporation system. Crystallization of amorphous silicon was performed by metal induced crystallization (MIC) method by annealing the samples at temperatures between 250 and 430 oC and for the intervals between 1 and 12 hours. Raman spectroscopy was used for the structural analysis of the samples. Optical transmittivity and reflectivity measurements were performed for the analysis of the optical properties. Resistivity and Hall effect measurements were done with the four-point probe method for the electrical properties. The formation of nanocrystalline silicon structures was observed by structural analysis, two-phase absorption in the optical absorption spectrum calculated with optical transmittance and reflectivity measurements, and mobility values between 1 – 800 cm2/V∙s with electrical measurements. | tr_TR |
dc.language.iso | tur | tr_TR |
dc.publisher | Fen Bilimleri Enstitüsü | tr_TR |
dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | tr_TR |
dc.subject | Metal Etkileşimli kristalleşme (MIC) | tr_TR |
dc.subject | Optik geçirgenlik | |
dc.subject | Optik yansıtıcılık | |
dc.subject | Optik soğurma katsayısı | |
dc.subject | Hall etkisi | |
dc.title | Amorf Silisyumun Alüminyum ve Altın Etkileşimli Kristalleştirilmesi, Elektriksel ve Soğurma Özelliklerinin İncelenmesi | tr_TR |
dc.title.alternative | Alumınum And Gold Induced Crystallızatıon Of Amorphous Sılıcon, Investıgatıon Of Electrıcal And Absorptıon Propertıes | |
dc.type | info:eu-repo/semantics/masterThesis | tr_TR |
dc.description.ozet | Isıl buharlaştırma sistemi ile 65 nm alüminyum ve 20 nm altın kaplanmış alttaş üzerine plazma destekli kimyasal buhar biriktirme (PECVD) sisteminde 100 nm hidrojenlendirilmiş amorf silisyum (a-Si:H) büyütülerek cam / Al / a-Si:H ve cam / Au / a-Si:H yapısında örnekler üretildi. Örnekler 250 ile 430 oC sıcaklıklar arasında ve 1 ile 12 saat süreleri arasında tavlanarak metal etkileşimli kristalleşme (MIC) yöntemi ile amorf silisyum kristalleştirildi. Örneklerin yapısal analizi için Raman Spektroskopisi, optik özelliklerinin analizi için optik geçirgenlik ve optik yansıtıcılık ölçümleri ve elektriksel özellikleri için dört nokta yöntemi ile özdirenç ve Hall etkisi ölçümleri yapıldı. Yapısal analiz ile nanokristal silisyum yapılarının olduğu, optik geçirgenlik ve yansıtıcılık ölçümleri ile hesaplanan optik soğurma spektrumunda iki fazlı soğurmanın olduğu, elektriksel ölçümler ile mobilite değerlerinin 1 – 800 cm2/V∙s arasında olduğu gözlendi. | tr_TR |
dc.contributor.department | Fizik Mühendisliği | tr_TR |
dc.embargo.terms | Acik erisim | tr_TR |
dc.embargo.lift | 2021-10-13T08:07:22Z | |
dc.funding | Yok | tr_TR |