Ara
Toplam kayıt 2, listelenen: 1-2
Yüksek Güç Uygulamaları İçin Galyum Nitrür Temelli Yüksek Elektron Hareketlilikli Transistör Tasarımı, Fabrikasyonu ve Karakterizasyonu
(Fen Bilimleri Enstitüsü, 2020)
In this study, novel epitaxial structures for high power applications have been grown by using Metal-Organic Chemical Vapour Deposition (MOCVD) technique. Photoluminescence (PL), Atomic Force Microscopy (AFM), X-Ray ...
Gate Uzunluğunun Gan Hemt Aygıtlarda Güç Performansına Etkisi
(Fen Bilimleri Enstitüsü, 2014)
This work has combined epitaxial growth, fabrication and characterization efforts to develop a GaN based high electron mobility transistors (HEMT). GaN HEMT epitaxial samples have been grown by using metal organic chemical ...