Basit öğe kaydını göster

dc.contributor.advisorBacıoğlu, Akıntr_TR
dc.contributor.authorKouzehkonani, Oldouz Tofightr_TR
dc.date.accessioned2015-10-15T06:59:04Z
dc.date.available2015-10-15T06:59:04Z
dc.date.issued2014tr_TR
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11655/2265
dc.description.abstracta-SiOx:H and a-SiNx:H single layer and double layer with the structure of a-SiOx:H and a-SiNx:H, anti reflection coatings (SLARC and DLARC) were designed and depostied in a plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) system on single crystlaline and glass substrates. a-SiOx:H and a-SiNx:H layers were deposited, by using the flow rates 2 sccm of SiH4 and 8 sccm of CO2 and 8 sccm N2, respectively. Thicknesses of the samples were calibrated as a funciton of deposition time. By using the calibration functions, the required durations of experiments to design anti reflecting layers were extrapolated.With the SLARC design of a-SiOx:H, optical reflectivity from glass was measured as 0.087 at 512 nm and on crystalline silicon as 0.094 at 542 nm. The reflectivity of a-SiNx:H on glass was measured as 0.095 at 542 nm and as 0.0085 as 520 nm on silicon. With the DLARC design of a-SiOx:H a-SiNx:H structure, the reflectivity was mesured as 0.036 at 528 nm on glass and as 0.0084 at 548 nm on silicon.tr_TR
dc.language.isoturtr_TR
dc.publisherFen Bilimleri Enstitüsütr_TR
dc.subjectAnti-reflecting coatingtr_TR
dc.titleHidrojenlendirilmiş Amorf Silisyum Tabanlı Yansıtmaz Kaplamaların Üretilmesi ve Optik Özelliklerinin İncelenmesitr_TR
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/masterThesistr_TR
dc.callno2014/1609tr_TR
dc.contributor.departmentoldTemiz Tükenmez Enerjilertr_TR
dc.description.ozetTek katmanlı a-SiOx:H ve a-SiNx:H ile çift katmanlı a-SiOx:H a-SiNx:H yapısında yansıtmaz kaplamalar tasarlanmış ve 13,56 MHz RF-plazma destekli kimyasal buhar biriktirme (PECVD) yöntemi ile cam ve tek kristal silisyum alttabanlar üzerine büyütülmüştür. a-SiOx:H ince filmler, 8 sccm CO2 ve 2 sccm SiH4 geçirilerek elde edilen gaz karışımının plazması kullanılarak; a-SiNx:H örnekler ise 8 sccm N2 ve 2 sccm SiH4 gaz karışım ile üretilmiştir. Üretilen ince filmlerin 550 nm dalgaboyunda kırma indisleri, a-SiOx:H için, 1,83 ve a-SiNx:H için, 2,33 olarak hesaplanmıştır. Film kalınlıklarının, örnek üretim sürelerine bağlı fonksiyonları türetilmiştir. Bu fonksiyonlar kullanılarak yansıtmaz kaplamaların tasarımında gerekli kalınlıklar için deney süreleri belirlenmiştir. Tek katmanlı a-SiOx:H yansıma önleyicilerin kaplanmasıyla optik yansıma, a-SiOx:H için cam üzerinde 512 nm de 0,087, silisyum üzerinde 562 nm de 0,0024 olarak; tek katmanlı a-SiNx:H yansıtmaz kaplama ile cam üzerinde 542 nm‟de 0,095 ve tek kristal silisyum üzerinde, 520 nm için 0,085 ölçülmüştür.tr_TR


Bu öğenin dosyaları:

Bu öğe aşağıdaki koleksiyon(lar)da görünmektedir.

Basit öğe kaydını göster