Ara
Toplam kayıt 2, listelenen: 1-2
Yüksek Güç Uygulamaları İçin Galyum Nitrür Temelli Yüksek Elektron Hareketlilikli Transistör Tasarımı, Fabrikasyonu ve Karakterizasyonu
(Fen Bilimleri Enstitüsü, 2020)
In this study, novel epitaxial structures for high power applications have been grown by using Metal-Organic Chemical Vapour Deposition (MOCVD) technique. Photoluminescence (PL), Atomic Force Microscopy (AFM), X-Ray ...
Gan Tabanlı Güç Aygıtları İçin Pasivasyon Tabakası Geliştirilmesi
(Fen Bilimleri Enstitüsü, 2022)
In this study, various passivation layers are developed and characterized for gallium nitride
(GaN) transistors used in power electronics applications. Dielectric properties of the
passivation material on high breakdown ...