Ara
Toplam kayıt 1, listelenen: 1-1
Geliştirme Modlu Galyum Nitrat Yüksek Taşıyıcı Hareketine Sahip Tranzistörleri Kullanarak Yüksek Verimli Yük Noktası Da/Da Dönüştürücü Tasarımı
(Fen Bilimleri Enstitüsü, 2019)
In this study, the design of 1MHz switching frequency and 25W output power level 28 to 3.3V non-isolated point of load converter which uses enhancement mode gallium nitride transistors as switching element is realised. In ...