dc.contributor.advisor | Bacıoğlu, Akın | tr_TR |
dc.contributor.author | Kouzehkonani, Oldouz Tofigh | tr_TR |
dc.date.accessioned | 2015-10-15T06:59:04Z | |
dc.date.available | 2015-10-15T06:59:04Z | |
dc.date.issued | 2014 | tr_TR |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11655/2265 | |
dc.description.abstract | a-SiOx:H and a-SiNx:H single layer and double layer with the structure of a-SiOx:H and a-SiNx:H, anti reflection coatings (SLARC and DLARC) were designed and depostied in a plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) system on single crystlaline and glass substrates. a-SiOx:H and a-SiNx:H layers were deposited, by using the flow rates 2 sccm of SiH4 and 8 sccm of CO2 and 8 sccm N2, respectively. Thicknesses of the samples were calibrated as a funciton of deposition time. By using the calibration functions, the required durations of experiments to design anti reflecting layers were extrapolated.With the SLARC design of a-SiOx:H, optical reflectivity from glass was measured as 0.087 at 512 nm and on crystalline silicon as 0.094 at 542 nm. The reflectivity of a-SiNx:H on glass was measured as 0.095 at 542 nm and as 0.0085 as 520 nm on silicon. With the DLARC design of a-SiOx:H a-SiNx:H structure, the reflectivity was mesured as 0.036 at 528 nm on glass and as 0.0084 at 548 nm on silicon. | tr_TR |
dc.language.iso | tur | tr_TR |
dc.publisher | Fen Bilimleri Enstitüsü | tr_TR |
dc.subject | Anti-reflecting coating | tr_TR |
dc.title | Hidrojenlendirilmiş Amorf Silisyum Tabanlı Yansıtmaz Kaplamaların Üretilmesi ve Optik Özelliklerinin İncelenmesi | tr_TR |
dc.type | info:eu-repo/semantics/masterThesis | tr_TR |
dc.callno | 2014/1609 | tr_TR |
dc.contributor.departmentold | Temiz Tükenmez Enerjiler | tr_TR |
dc.description.ozet | Tek katmanlı a-SiOx:H ve a-SiNx:H ile çift katmanlı a-SiOx:H a-SiNx:H yapısında yansıtmaz kaplamalar tasarlanmış ve 13,56 MHz RF-plazma destekli kimyasal buhar biriktirme (PECVD) yöntemi ile cam ve tek kristal silisyum alttabanlar üzerine büyütülmüştür. a-SiOx:H ince filmler, 8 sccm CO2 ve 2 sccm SiH4 geçirilerek elde edilen gaz karışımının plazması kullanılarak; a-SiNx:H örnekler ise 8 sccm N2 ve 2 sccm SiH4 gaz karışım ile üretilmiştir. Üretilen ince filmlerin 550 nm dalgaboyunda kırma indisleri, a-SiOx:H için, 1,83 ve a-SiNx:H için, 2,33 olarak hesaplanmıştır. Film kalınlıklarının, örnek üretim sürelerine bağlı fonksiyonları türetilmiştir. Bu fonksiyonlar kullanılarak yansıtmaz kaplamaların tasarımında gerekli kalınlıklar için deney süreleri belirlenmiştir. Tek katmanlı a-SiOx:H yansıma önleyicilerin kaplanmasıyla optik yansıma, a-SiOx:H için cam üzerinde 512 nm de 0,087, silisyum üzerinde 562 nm de 0,0024 olarak; tek katmanlı a-SiNx:H yansıtmaz kaplama ile cam üzerinde 542 nm‟de
0,095 ve tek kristal silisyum üzerinde, 520 nm için 0,085 ölçülmüştür. | tr_TR |